熱壓鍵合加熱盤(pán)

簡(jiǎn)要描述：文天精策設(shè)計(jì)的Wafer-to-wafer（晶圓對(duì)晶圓）熱壓鍵合加熱盤(pán)，是專(zhuān)為熱壓鍵合（TCB）工藝打造的核心組件，熱壓鍵合技術(shù)其核心是通過(guò)同時(shí)施加熱量與壓力，使兩片完整晶圓在原子層面實(shí)現(xiàn)緊密接觸與擴(kuò)散，最終形成牢固冶金結(jié)合，是半導(dǎo)體優(yōu)良封裝、MEMS與微流控器件制造中的關(guān)鍵工藝裝備。

產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2026-05-19
訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：73
產(chǎn)品地址：蘇州市吳江區(qū)江陵街道云創(chuàng)路233號(hào)

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文天精策設(shè)計(jì)的Wafer-to-wafer（晶圓對(duì)晶圓）熱壓鍵合加熱盤(pán)，是專(zhuān)為熱壓鍵合（TCB）工藝打造的核心組件，熱壓鍵合技術(shù)其核心是通過(guò)同時(shí)施加熱量與壓力，使兩片完整晶圓在原子層面實(shí)現(xiàn)緊密接觸與擴(kuò)散，最終形成牢固冶金結(jié)合，是半導(dǎo)體優(yōu)良封裝、MEMS與微流控器件制造中的關(guān)鍵工藝裝備。

產(chǎn)品參數(shù)：

熱壓鍵合加熱盤(pán)
材質(zhì)	SUS316/因瓦合金/鋁合金（根據(jù)工藝需求選配）
溫度穩(wěn)定性	±1℃
系統(tǒng)控溫精度	0.5℃（讀表精度）
環(huán)境真空度	10^-5mbar
工作壓力	6寸晶圓適配100KN
加熱盤(pán)平面度	≤10um
工作溫度	400℃，最高工作溫度：550℃（適配高溫?zé)釅烘I合需求）
升降溫速率	最大升溫速率35℃/min，最大降溫速率20℃/min
適配晶圓尺寸	4寸、6寸、8寸、12寸
盤(pán)面溫度均勻性	室溫~200℃ ±1%；200-500℃ ±1.5%

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